onsemi FDB16AN08A0 – N-Kanal-PowerTrench-MOSFET 75 V, 58 A, 16 mΩ, TO-263 (D2PAK)

( Report illegal content in this Request )
Share with friends
Description

Benötigt wird der N-Kanal-Leistungs-MOSFET onsemi FDB16AN08A0 (PowerTrench, ehemals Fairchild) im SMD-Gehäuse TO-263 / D2PAK mit 2 Anschlüssen und Drain-Fahne: Drain-Source-Spannung 75 V, Drainstrom 58 A bei 25 °C Gehäusetemperatur, RDS(on) 13 mΩ typ. / 16 mΩ max. bei 10 V Gate-Spannung, Gate-Source-Spannung ±20 V, Verlustleistung 135 W, Sperrschichttemperatur −55 … +175 °C. Anschlussbelegung: Pin 1 Gate, Pin 3 Source, Drain an Fahne (Mittelanschluss gekürzt). Lieferung auf Rolle (800 Stück). Abmessungen (mm, laut Datenblatt Abb. 22): - Gehäusebreite: 9,65 … 10,67 - Gehäuselänge: 8,38 … 9,65 - Gesamtlänge mit Anschlüssen: 14,61 … 15,88 - Höhe: 4,06 … 4,83 - Dicke der Kühlfahne: 1,14 … 1,65 - Anschlussbreite: 0,51 … 0,99 - Abstand Pin 1 zu Pin 3: 5,08 - empfohlenes Lötpad Fahne: 12,70 x 9,45; Pads Pin 1/3: 3,80 x 1,05

Request ID:request20261110-051921
Created At :
1,450.00€ netto
  for   1000   piece
23 Days Delivery Time
Request Detail
Account usage of the Requester
Business
Deliver To
Flag DE
Hersteller
onsemi
Herstellernummer
FDB16AN08A0
Serie
PowerTrench (UltraFET Trench)
Typ
MOSFET, N-Kanal, Anreicherungstyp
Drain-Source-Spannung VDS
75 V
Drainstrom ID
58 (TC 25 °C) / 44 (TC 100 °C) A
RDS(on) max.
13 typ. / 16 max. (bei VGS 10 V, ID 58 A) mΩ
Gate-Source-Spannung VGS
±20 V
Gate-Schwellspannung VGS(th)
2 … 4 V
Verlustleistung Ptot
135 (TC 25 °C) W
Gehäuse
TO-263 / D2PAK (2 Anschlüsse + Drain-Fahne)
Qualifikation
nicht im Datenblatt angegeben
Minimale Betriebstemperatur
-55 °C
Maximale Betriebstemperatur
+175 °C
Verpackung
Tape & Reel (800 St.)
Any Question to the requester about this request?
How has the Requester been rated so far?
5 (1)
Trustable
Payment
Response time on contact
Transport costs
Friendly
Delivery Time
Quality Performance / Product