ROHM EM6K7T2CR – Doppel-N-Kanal-MOSFET 20 V, 200 mA, 1,2 Ω, SOT-563 (EMT6)

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Description

Gesucht werden 2.000 Stück des Kleinsignal-MOSFETs ROHM EM6K7T2CR (EM6K7) mit zwei unabhängigen N-Kanal-Transistoren im Gehäuse SOT-563 / SC-107C (EMT6). Je Transistor: Drain-Source-Spannung 20 V, Drainstrom ±200 mA (Puls ±400 mA), Gate-Source-Spannung ±8 V, Schwellspannung 0,3 … 1,0 V, Einschaltwiderstand max. 1,2 Ω bei 2,5 V bzw. 1,4 Ω bei 1,8 V (ansteuerbar ab 1,2 V), Eingangskapazität 25 pF, Gate mit ESD-Schutzdiode. Verlustleistung gesamt 150 mW, Sperrschichttemperatur max. 150 °C, bleifrei und RoHS-konform. Kennzeichnung „K07“, Lieferung gegurtet auf Rolle (8.000 Stück je Rolle). Pinbelegung: 1 Source Tr1, 2 Gate Tr1, 3 Drain Tr2, 4 Source Tr2, 5 Gate Tr2, 6 Drain Tr1. Abmessungen (laut Datenblatt, in mm): - Länge D: 1,50 … 1,70 - Gehäusebreite E: 1,10 … 1,30, Breite über Anschlüsse HE: 1,50 … 1,70 - Höhe A: 0,45 … 0,55 - Rastermaß e: 0,50, Anschlussbreite b: 0,17 … 0,27, Anschlussdicke c: 0,08 … 0,18

Request ID:request20261110-025814
Created At :
366.00€ netto
  for   2000   piece
6 Days Delivery Time
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Business
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Flag DE
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herstellernummer
EM6K7T2CR (EM6K7)
Serie
Small-Signal-MOSFET, Dual (Nch+Nch)
Typ
MOSFET, 2 × N-Kanal, Anreicherungstyp, mit ESD-Schutzdiode
Drain-Source-Spannung VDS
20 V
Drainstrom ID
±0,2 (je Transistor) A
RDS(on) max.
1200 (bei VGS 2,5 V) / 1400 (bei 1,8 V) mΩ
Gate-Source-Spannung VGS
±8 V
Gate-Schwellspannung VGS(th)
0,3 … 1,0 V
Verlustleistung Ptot
0,15 (gesamt) W
Gehäuse
SOT-563 / SC-107C (EMT6)
Qualifikation
keine (Standard)
Minimale Betriebstemperatur
-55 °C
Maximale Betriebstemperatur
+150 °C
Verpackung
Tape & Reel
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