P-Kanal-MOSFET Infineon BSS209PW H6327 (BSS209PWH6327XTSA1), −20 V, SOT-323 – 1.000 St.

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Description

Gesucht: 1.000 Kleinsignal-MOSFETs Infineon BSS209PWH6327XTSA1 (Typ BSS209PW, Serie OptiMOS-P) – P-Kanal-Anreicherungstyp für −20 V und −0,63 A im SMD-Gehäuse SOT-323 (PG-SOT323-3), gegurtet. Abmessungen SOT-323: Gehäuselänge 1,8–2,2 mm, Gehäusebreite 1,15–1,35 mm, Breite über Anschlüsse 2,0–2,2 mm, Höhe 0,8–1,1 mm, Anschlussraster 0,65 mm, Anschlussbreite 0,3–0,4 mm.

Request ID:request20261109-111154
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89.00€ netto
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Flag DE
Hersteller
Infineon
Herstellernummer
BSS209PWH6327XTSA1 (BSS209PW H6327)
Serie
OptiMOS-P Small-Signal
Typ
MOSFET, P-Kanal, Anreicherungstyp
Drain-Source-Spannung VDS
-20 V
Drainstrom ID
-0,63 A
RDS(on) max.
550 (bei VGS -4,5 V) / 900 (bei -2,5 V) mΩ
Gate-Source-Spannung VGS
±12 V
Gate-Schwellspannung VGS(th)
-0,6 … -1,2 V
Verlustleistung Ptot
0,3 W
Gehäuse
SOT-323 (PG-SOT323-3)
Qualifikation
AEC-Q101
Minimale Betriebstemperatur
-55 °C
Maximale Betriebstemperatur
+150 °C
Verpackung
Tape & Reel
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